安徽淮南发布规范非电网直接供电用户用电价格政策告知书

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在本综述中，规范格政该团队梳理了sp2纳米碳材料催化生长的相关重要研究进展，规范格政以石墨烯纳米带和石墨烯生长、碳管的克隆生长、环境对碳管带隙分布的影响、带隙锁定的碳管生长等例子定量论证了带隙耦合的模板自催化生长动力学，并且讨论了拓扑缺陷对这一耦合关系的影响。该综述是魏飞教授团队继揭示碳管生长的Schulz-Flory分布、网直带隙锁定生长速度制备高半导体纯度碳管等工作之后，网直对sp2纳米碳材料选择性生长机理的进一步深入理解和总结，为审视动力学对纳米碳材料的催化生长提供了全新的思路，为实现纳米碳材料的完美可控制备及高端应用提供了理论上的支持。在其原子组装生长过程中，接供拓扑缺陷、带隙和原子组装速率之间存在着密切关系。

文章通讯作者为魏飞教授和朱振兴博士，电用电第一作者为清华大学化工系2018级博士生高俊，电用电参与该综述的还有清华大学化工系申博渊博士及博士生白云祥、孙斯磊。碳纳米管生长中拓扑缺陷、策告带隙和原子组装速率关系的示意图2月19日，策告清华大学化学工程系魏飞教授团队在《先进科学》（AdvancedScience）上在线发表题为带隙耦合的模板自催化动力学促进高纯sp2纳米碳材料生长（Bandgap-CoupledTemplateAutocatalysistowardtheGrowthofHigh-Puritysp2 Nanocarbons）的综述论文。

然而，知书严格控制纳米碳材料的无缺陷结构和半导体纯度仍然是制约高性能碳基芯片应用的关键问题。

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